Hersteller Produktnummer:
TSM4NB65CP ROG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM4NB65CP ROG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
34 Stück Neu Original Auf Lager
12899136
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TSM4NB65CP ROG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.37Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
549 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TSM4NB65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM4NB65CP ROGTR-DG
TSM4NB65CP ROGCT-DG
TSM4NB65CP ROGDKR-DG
TSM4NB65CP ROGCT
TSM4NB65CP ROGTR
TSM4NB65CPROGCT
TSM4NB65CPROGTR
TSM4NB65CPROGDKR
TSM4NB65CP ROGDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD80R2K8CEATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4870
TEILNUMMER
IPD80R2K8CEATMA1-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
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